Erfolgreich abgeschlossenes Studium (Master, Diplom) der Physik/Chemie, Materialwissenschaften oder eines vergleichbaren technischen/naturwissenschaftlichen Studiengangs bevorzugt mit einschlägiger zusätzlicher Promotion Relevante einschlägige Berufserfahrung in der III-V-Epitaxie-Entwicklung auf dem Niveau eines (Senior-)Experten bevorzugt mit Schwerpunkt im (Al)(In)GaN-Materialsystem Fundierte Erfahrung im Bereich der MOCVD-Prozesse und -Hardware mit vertieften Kenntnissen der Einflüsse der Epitaxie-Designs auf die Bauteilperformance sowie deren Charakterisierungsmethoden Kenntnisse der Wechselwirkung zwischen Epitaxie-Design und Chipprozessierung Leidenschaftlicher Teamspieler gepaart mit Innovationsfähigkeit, Problemlösungsstärke und hoher Verlässlichkeit Sehr gute Englischkenntnisse, Grundkenntnisse in Deutsch wären zu bevorzugen